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(二)工程污染源分析

本次環(huán)境影響評(píng)價(jià)工程污染源分析的原則和依據(jù)是建設(shè)單位提交的初步設(shè)計(jì)， 經(jīng)評(píng)價(jià)單位進(jìn)行物料衡算、類比調(diào)查與監(jiān)測得出的。但應(yīng)該指出的是本次環(huán)境影響評(píng)價(jià)提出的工程污染源數(shù)據(jù)是依據(jù)前文提到的工藝路線和產(chǎn)量界定的，但該項(xiàng)目實(shí) 質(zhì)是芯片的代加工廠，所有產(chǎn)品是根據(jù)市場的需求進(jìn)行制作的，產(chǎn)品種類、規(guī)格多 且不固定，原材料會(huì)因產(chǎn)品工藝和類型不同而使用非常多的不同種類，且使用時(shí)間、使用量具有波動(dòng)性的特點(diǎn)，因此，污染物的產(chǎn)生、排放量也具有不確定性。

1. 大氣污染源分析

(1) 酸性廢氣酸性廢氣主要來自于擴(kuò)散區(qū)、離子植入?yún)^(qū)、薄膜區(qū)、化學(xué)研磨區(qū)及光罩制作區(qū)，包括含氟廢氣、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、硅烷(SiH4)、磷烷(PH3)、 砷烷(AsH3)等所排出之廢氣。

(2) 堿性氣體堿性氣體主要來自擴(kuò)散區(qū)、薄膜區(qū)及化學(xué)研磨區(qū)產(chǎn)生之含氨廢氣排放。

(3) 有機(jī)廢氣有機(jī)廢氣主要來自于光刻區(qū)、擴(kuò)散區(qū)的光阻劑及清洗用之異丙醇等有機(jī)溶劑廢氣。

(4) VOC使用天然氣燃燒廢氣芯片生產(chǎn)后加工工序會(huì)有VOC產(chǎn)生，其處理工藝使用天然氣助燃方式解決。使用天然氣燃燒時(shí)NO,的產(chǎn)生量參照北京市環(huán)境保 護(hù)科學(xué)研究院編制的《北京環(huán)境總體規(guī)劃研究》中確定的排放因子，即燃燒1 000m3 天然氣NO,的排放量為1.76 kg。802的產(chǎn)生量根據(jù)天然氣的用量和含硫率求得，即 燃燒1 000 m3天然氣S02的排放量約為5.71 X10—3 kg。

燃燒VOC使用的天然氣100 m3/h,年總用量為864 000 m3/a (一年按360 d, 一 天按24h計(jì))，煙氣排放量為10 644 480m3/a，則本項(xiàng)目FAB VOC使用的天然氣燃 燒產(chǎn)生的大氣污染物排放量為：NO, 1 520.64 kg/a、S02 4.93 kg/a。

(5) 化學(xué)品輸送過程中的極微量泄漏管道輸送液體的過程中，在管道接口處有極微量液體泄漏。根據(jù)類比數(shù)據(jù)，化學(xué)材料在運(yùn)輸過程中，在罐裝、管道等接口 處可能的極微量泄漏約為總量的0.05%。本評(píng)價(jià)考慮的是使用量較大的氟化氫，年使用量按52 075 kg/a計(jì)，泄漏量按最壞情況來考慮，為總量的0.8%計(jì)，可得到氟化 氫極微量泄漏約為0.048 kg/h。

2. 水污染源分析

本項(xiàng)目水污染源主要包括生產(chǎn)廢水和生活污水。

根據(jù)本項(xiàng)目的生產(chǎn)工藝和廢水水質(zhì)特征，在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢水主要可分為含氟廢水、研磨廢水(分為金屬研磨廢水、氧化研磨廢水、晶背研磨廢水)、酸堿廢水(包括工藝酸堿廢水、洗滌塔廢水、純水系統(tǒng)再生廢水)和含氨廢水。

此外還有純水站濃縮廢水、工藝設(shè)備冷卻水、冷凍水和冷卻塔排水，為較清潔 廢水，作為回用水。

廢水處理站主體部分位于CUB2 —層，主要包括含氟廢水處理系統(tǒng)、酸堿廢水 中和處理系統(tǒng)、污泥處理系統(tǒng)、加藥系統(tǒng)、部分廢液收集系統(tǒng)、廢水處理站控制室及部分處理設(shè)施的預(yù)留位置;另一部分位于生產(chǎn)廠房FAB 4/ FAB 5/ FAB 6C的一樓， 主要包括化學(xué)機(jī)械研磨廢水、芯片背面研磨廢水收集及輸送設(shè)施。

3. 固體廢物

固體廢物產(chǎn)生量及其組分，詳見表2。

表2固體廢物產(chǎn)生量

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