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2013年環(huán)境影響評(píng)價(jià)案例分析教材詳解72

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案例二

中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司超大規(guī)模 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目

一、項(xiàng)目工程概況與工程分析

(一)項(xiàng)目背景

本項(xiàng)目擬建于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)。擬建設(shè)8英寸(20.32 cm) 0.35?0.18 |Lim 芯片(月投片30 000片);12英寸(30.48 cm)先進(jìn)制程線,0.13?0.09叫n芯片(月投產(chǎn)3 000片)。本項(xiàng)目建設(shè)期2年(2002—2003年,實(shí)際1.25年),試生產(chǎn)期2年,達(dá)產(chǎn)期4年,總投資為12.5億美元。

(二)項(xiàng)目概況

1.項(xiàng)目組成

本項(xiàng)目由生產(chǎn)設(shè)施、動(dòng)力設(shè)施、化學(xué)品設(shè)施、氣體設(shè)施、環(huán)保設(shè)施、安全衛(wèi)生設(shè)施、消防設(shè)施、管理服務(wù)設(shè)施以及相應(yīng)的建筑物組成。芯片項(xiàng)目組成見(jiàn)表1。

表1芯片項(xiàng)目組成

序號(hào)
設(shè)施名稱(chēng)
內(nèi)容
1
生產(chǎn)設(shè)施
生產(chǎn)廠房、支持廠房包括:集成電路芯片生產(chǎn)設(shè)施、集成電路測(cè)試設(shè)施、 實(shí)驗(yàn)設(shè)施、各種庫(kù)房、生產(chǎn)管理設(shè)施
2
動(dòng)力設(shè)施
動(dòng)力廠房,包括:水泵房、純水站、空壓站、冷凍站、鍋爐房、真空站、 凈化、通風(fēng)和排風(fēng)系統(tǒng)、消防等;變電站、柴油發(fā)電機(jī)房(備用)、大宗 氣體供應(yīng)站(空分裝置)
3
輔助設(shè)施
化學(xué)品庫(kù)、硅烷站、天然氣調(diào)壓站、特殊氣體供應(yīng)系統(tǒng)、大宗氣體供應(yīng) 系統(tǒng),空分主裝置包括:主空氣壓縮機(jī),氮?dú)鈮嚎s機(jī)。工廠空氣裝置,包 括:空氣壓縮機(jī)
4
環(huán)保設(shè)施
工業(yè)廢水處理系統(tǒng)、生活污水處理系統(tǒng)、廢氣處理系統(tǒng)、廢液、廢渣收 集系統(tǒng)、綠化、雨水回收處理系統(tǒng)
5
服務(wù)設(shè)施
辦公樓包括:辦公、會(huì)議、餐廳等用房;停車(chē)場(chǎng)
6
廠外設(shè)施
排水管線、蒸汽管線、天然氣管線、工藝物料外管線、高壓輸電線
注:本項(xiàng)目新鮮水、電、蒸汽、天然氣的供給及生產(chǎn)、生活污水末端處理依托開(kāi)發(fā)區(qū)。

2.總平面布置

廠區(qū)總平面效果圖見(jiàn)圖1。

二、環(huán)境概況

1. 地理位置

廠址位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)(BDA) 41、47號(hào)地塊,征地面積240 030 m2, 其中41號(hào)地塊面積136 754 m2、47號(hào)地塊面積103 276 m2,見(jiàn)圖2。

2. 環(huán)境質(zhì)量

本項(xiàng)目對(duì)芯片加工類(lèi)的特征空氣污染物、地下水特征污染物和土壤特征污染物 進(jìn)行了監(jiān)測(cè)。環(huán)境空氣監(jiān)測(cè)了氟化物、氯化氫、氨氣、氯氣、硫酸霧、非甲烷總烴共6項(xiàng);地下水環(huán)境監(jiān)測(cè),W、B共2項(xiàng);土壤監(jiān)測(cè)了砷(As)、硼(B)、氟(F) 和鎢(W)共4項(xiàng)。通過(guò)監(jiān)測(cè)結(jié)果可以看出環(huán)境本底較好,沒(méi)有超標(biāo)的污染項(xiàng)。

3. 廠址選擇合理性分析

由于中國(guó)與發(fā)達(dá)國(guó)家相比,在關(guān)鍵技術(shù)如軟件、集成電路和新型元器件等方面 相對(duì)落后,CPU芯片和存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與制造能力薄弱,電訊、通訊市場(chǎng)將是首先受到入關(guān)沖擊的領(lǐng)域之一。因此,我國(guó)的信息產(chǎn)業(yè)政策中有很重要的一條,就是中國(guó) 鼓勵(lì)外資進(jìn)入信息產(chǎn)業(yè),希望信息產(chǎn)業(yè)的外商投資企業(yè)進(jìn)一步提高技術(shù)檔次,擴(kuò)大 投資規(guī)模。深亞微米工藝技術(shù)已是國(guó)際上的主流生產(chǎn)技術(shù),本項(xiàng)目的實(shí)施可以推廣

在國(guó)內(nèi)微電子技術(shù)的升級(jí)發(fā)展,提高電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、生產(chǎn),并會(huì)促進(jìn)我國(guó)集成電路 產(chǎn)業(yè)走向國(guó)際。因此,該項(xiàng)目的性質(zhì)完全符合國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和政策。本項(xiàng) 目為高科技、高附加值的集成電路行業(yè),項(xiàng)目地址位于北京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)。在北京市“十五”時(shí)期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局調(diào)整目標(biāo)中明確指出:“北京經(jīng)濟(jì)技 術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū):建設(shè)成北京現(xiàn)代制造業(yè)的窗口基地”,該項(xiàng)目的選址符合北京市“十五” 時(shí)期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局,與加速發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向高度是一致的。根據(jù)本項(xiàng)目的規(guī)模,可以確信,本項(xiàng)目是實(shí)現(xiàn)北京市“十五”時(shí)期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的 極其重要的項(xiàng)目之一。

I____ I_____ I

圖2評(píng)價(jià)范圍及周邊環(huán)境關(guān)系

三、工程分析

(一)工藝流程

1.工藝技術(shù)方案的確定

本項(xiàng)目的技術(shù)發(fā)展和集成電路制造的重點(diǎn)將以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 工藝為主。芯片生產(chǎn)工序主要有外購(gòu)硅片清洗、氧化(Si + 02—Si02)、光刻、蝕刻、 擴(kuò)散、離子植入、化學(xué)氣相沉積、金屬化、后加工等九部分。

全廠生產(chǎn)總流程圖見(jiàn)圖3,圖中展示了所有生產(chǎn)廠房的功能(工藝生產(chǎn)區(qū)域、 支持區(qū)域)和相互之間的原則關(guān)系。在生產(chǎn)廠房中的工藝生產(chǎn)區(qū)域中,產(chǎn)品在通過(guò)產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)流至支持區(qū)域后道工序前,某些工藝步驟將被重復(fù)多次。

2.生產(chǎn)流程及排污節(jié)點(diǎn)分析

生產(chǎn)工藝流程和“三廢”排放節(jié)點(diǎn)示意圖,見(jiàn)圖4。

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